退火温度对铁基纳米晶带材高频磁导率的影响

• 作者: 丁文 向毅 周勇 周志敏 雷冲
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 高频磁导率 射频阻抗/材料分析仪 铁基纳米晶带材
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试测
• 页码范围: 43-46
• 页数: 4页
• 分类号: TM936.4
• 字数: 2687字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.12.014

摘要

采用单线圈法,利用Agilent E4991A射频阻抗/材料分析仪,研究了退火温度对铁基纳米晶带材的高频磁导率的影响.结果表明:经550 ℃退火处理的30 μm厚样品磁导率实部,随频率增加而减小,在1 MHz下为1 210,在20 MHz下为234,磁导率虚部有类似的变化趋势;比较了30 μm厚样品经不同温度退火处理后磁导率的测量结果,得出550 ℃是一个比较理想的退火温度.