65 nm工艺节点下的光刻掩模版优化算法

• 作者: 余志平 张进宇 熊伟 王燕
• 来源期刊: 计算机辅助设计与图形学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 掩模 逆向光刻 模拟退火算法
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: CAD/CAT/CAM/CG系统设计与应用技术
• 页码范围: 577-584
• 页数: 8页
• 分类号: TP202
• 字数: 6768字
• 语种: 中文

摘要

在模拟退火算法中引入了准梯度的概念,改进了以模拟退火算法为基础的光刻掩模版优化算法.该算法优先搜索由准梯度确定的关键区域,减少了模拟退火算法的无效搜索次数,在保证优化效果的基础上,可以提高原算法的收敛效率.实验结果表明,在65 nm CMOS工艺节点下,该算法使得收敛速度大幅提高,优化效果更好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊伟	清华大学微电子学研究所	10	75	4.0	8.0
2	余志平	清华大学微电子学研究所	45	158	7.0	10.0
3	王燕	清华大学微电子学研究所	55	351	8.0	17.0
4	张进宇	清华大学微电子学研究所	2	5	1.0	2.0