嵌入式存储器内建自修复电路的一种改进设计

• 作者: 施玉霞 王丽 王友仁
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 行块 存储阵列 芯片电子系统 嵌入武存储器 自测试 自修复
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 先进制造与自动化技术
• 页码范围: 162-166
• 页数: 5页
• 分类号: TP3
• 字数: 3109字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3772/j.issn.1002-0470.2008.02.011

摘要

研究了存储器内建自测试(MBIST)和存储器自修复(MBISR)技术,改进了基于一维冗余(冗余行块)结构的嵌入式存储器修复策略.首先将存储阵列和冗余阵列划分为多个行块,然后采用存储器自测试方法定位故障单元的行地址和行块地址,最后任何可利用的冗余块可以被用来修复故障单元.通过16×32比特静态随机存取存储器(SRAM)的电路自修复实验,验证了该修复策略的可行性和较高的故障修复率.与传统的基于一维冗余结构的修复策略相比,该修复策略提高了替代故障单元方法的灵活性和冗余资源利用率,从而提高了存储器的故障修复率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王友仁	南京航空航天大学自动化学院	190	2254	25.0	36.0
2	王丽	南京航空航天大学自动化学院	17	44	4.0	6.0
3	施玉霞	南京航空航天大学自动化学院	15	149	6.0	12.0