基于深亚微米CMOS工艺输出单元电路研究

• 作者: 张为 杨宇 王明国
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: I/O单元,输出驱动 SSO噪声抑制 ESD保护电路
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 1215-1218
• 页数: 4页
• 分类号: TN495
• 字数: 2584字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2008.06.040

摘要

详细分析了一种基于深亚微米CMOS工艺输出单元电路结构,并对其三个基本模块:输出驱动、电源噪声抑制和ESD保护进行了深入研究.综合考虑速度、功耗和芯片面积等因素,输出驱动采用两级反相器结构,同时根据短沟道理论,提出了确定器件尺寸的方法;对于电源噪声抑制和ESD保护电路,重点探讨了其工作原理和具体实现方法.Spectre仿真结果表明,输出单元电路能够显著抑制SSO噪声.该电路已成功应用于所研制的CMOS图像传感器中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张为	天津大学电子信息工程学院	71	358	10.0	15.0
2	王明国	天津大学电子信息工程学院	4	34	2.0	4.0
3	杨宇	天津大学电子信息工程学院	9	47	4.0	6.0