衬底温度对低温制备纳米晶硅薄膜的影响

• 作者: 余楚迎 刘翠青 吴燕丹 李平 邱胜桦 陈城钊
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米晶硅薄膜 衬底温度 微结构特性 电学性能
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1853-1855
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.11.025

摘要

采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下,在＞100℃的低温下,以0.14nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜.研究结果表明,薄膜晶化率和沉积速率与衬底温度有密切关系.当衬底温度＞100℃,薄膜由非晶相向晶相转化,随着衬底温度的进一步升高,薄膜晶化率增大,当温度为300℃时,薄膜的晶化率达82%,暗电导率为10-4·cm-1数量级,激活能为0.31eV.当薄膜晶化后,沉积速率随衬底温度升高而略有增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余楚迎	汕头大学物理系	27	321	9.0	17.0
2	邱胜桦	韩山师范学院物理与电子工程系	13	50	4.0	6.0
3	陈城钊	韩山师范学院物理与电子工程系	23	86	5.0	8.0
4	李平	韩山师范学院物理与电子工程系	10	52	5.0	6.0
5	吴燕丹	韩山师范学院物理与电子工程系	18	72	5.0	7.0
6	刘翠青	韩山师范学院物理与电子工程系	26	67	5.0	7.0