MnxSi1-x磁性薄膜的结构研究

• 作者: 任鹏 刘忠良 刘金锋 叶剑 姜泳 孙治湖 孙玉 徐彭寿 潘志云 闰文盛 韦世强
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: MnxSi1-x 磁性薄膜 分子束外延 XRD XANES
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 4322-4327
• 页数: 6页
• 字数: 4151字
• 语种: 中文

摘要

利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构(XANES)方法研究了在Si(100)衬底上及600℃温度条件下用分子束外延(MBE)共蒸发方法生长的MnxSi1-x磁性薄膜的结构.由XRD结果表明,只有在高Mn含量(8%和17%)样品中存在着Mn4Si7化合物物相.而XANES结果则显示,对于Mn浓度在0.7%到17%之间的MnxSi1-x样品,其Mn原子的XANES谱表现出了一致的谱线特征.基于多重散射的XANES理论计算进一步表明,只有根据Mn4Si7模型计算出的理论XANES谱才能够很好的重构出MnxSi1-x样品的实验XANES谱.这些研究结果说明在MnxSi1-x样品中,Mn原子主要是以镶嵌式的Mn4Si7化合物纳米晶颗粒存在于Si薄膜介质中,几乎不存在间隙位和替代位的Mn原子.