以ZnO为沟道层的薄膜晶体管制备研究

• 作者: 侯洵 张伟风 张新安 张景文 张杰 毕臻 王东
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 薄膜 薄膜晶体管 绝缘层 光学透过率
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1144-1146,1150
• 页数: 4页
• 分类号: O472.4
• 字数: 2647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.07.026

摘要

采用光刻剥离工艺和射频磁控溅射法分别在(100)硅片和ITO玻璃衬底上制备了以氧化锌为沟道层的底栅式薄膜晶体管(ZnO-TFT).用X射线衍射仪、原子力显微镜对生长在绝缘层上的ZnO薄膜进行了表征.在硅衬底ZnO-TFT中,热氧化生长的二氧化硅薄膜作为绝缘层,金属铝用作源漏电极,该器件工作在N沟道增强模式,其阈值电压为8V,电流开关比为5×103,电子的场迁移率达到0.61cm2/(V·s).在以ITO玻璃为衬底的透明ZnO-TFT中,分别采用了SiO2、Al2O3、SiNx、PbTiO3薄膜作为绝缘层,实验表明生长在不同绝缘层上的ZnO薄膜都有很高的c轴择优取向,透明ZnO-TFT在可见光波段的平均透过率达到85%.