溅射制备纳米晶GaN:Er薄膜的室温发光特性

• 作者: 张振兴 李晖 潘孝军 王涛 谢二庆
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 纳米晶GaN薄膜 Er《'3+》掺杂 光学带隙 光致发光
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3786-3790
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 3293字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.06.079

摘要

利用直流磁控共溅射方法制备了GaN:Er薄膜.X射线衍射结果显示薄膜为纳米多晶结构,根据谢乐公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为5.8nm;透射电子显微镜结果显示为非晶基质中镶嵌了GaN纳米颗粒,尺寸在6-8nm之间;紫外可见谱结果表明在500-700nm的可见光范围内,薄膜的平均透过率大于80%,在紫外可见谱基础上,利用Tauc公式计算得到了纳米晶GaN薄膜的光学带隙为3.22eV;最后,测量了GaN:Er薄膜的室温光致发光谱,获得了Er3+离子在554nm处的强烈绿光发射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢二庆	兰州大学物理科学与技术学院	84	371	11.0	14.0
2	王涛	兰州大学物理科学与技术学院	40	296	10.0	16.0
3	张振兴	兰州大学物理科学与技术学院	20	40	4.0	5.0
4	潘孝军	兰州大学物理科学与技术学院	13	38	4.0	5.0
5	李晖	兰州大学物理科学与技术学院	12	46	4.0	6.0