PLD工艺制备高质量ZnO/Si异质外延薄膜

• 作者: 王维维 胡礼中 赵杰
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 光致发光 X射线衍射 反射式高能电子衍射
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 956-958
• 页数: 3页
• 分类号: O472|O484
• 字数: 2660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.06.024

摘要

采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si(111)为衬底制备了Zno薄膜.通过对不同氧压下(0～50Pa)沉积的样品的室温PL谱测试表明,氧气氛显著地提高了薄膜的发光质量,在50Pa氧气中沉积的ZnO薄膜具有最强的近带边UV发射.XRD测试说明在氧气氛中得到的薄膜结晶质量较差,没有单一的(002)取向.利用-低温(500℃)沉积的ZnO薄膜作缓冲层,得到了高质量的ZnO外延膜.与直接沉积的ZnO膜相比,生长在缓冲层上的ZnO膜展现出规则的斑点状衍射花样,而且拥有更强的UV发射和更窄的UV峰半高宽(98meV).对不同温度下沉积的缓冲层进行了RHEED表征,结果表明,在600～650℃之间生长缓冲层,有望进一步改善ZnO外延膜的质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵杰	大连理工大学物理与光电工程学院	171	1184	17.0	27.0
3	胡礼中	大连理工大学物理与光电工程学院	28	160	8.0	11.0
6	王维维	中国科学院半导体研究所材料科学中心	8	52	4.0	7.0