一种制备高质量ZnO薄膜的新型固相源

• 作者: 戴丽萍 邓宏 陈根 陈金菊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 固相源 SSCVD ZnO薄膜 光致发光
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 271-274
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3023字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.068

摘要

采用一种新型的单一固相源并利用单源化学气相沉积(SS CVD)技术,在Si(100)上制备出高质量的ZnO 薄膜.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和热重分析(TGA)表征源的化学和物理特性.FTIR测试表明该源具有新型的化学结构,其结构可用Zn4(OH)2(O2 CCH3)6·2H2O表示;TGA表明该源在常温下稳定,在211℃下能完全分解.所制备的ZnO薄膜采用X射线衍射、扫描电镜、X射线光电子能谱、光致发光谱进行了分析.分析结果表明,采用这种固相源能够制备出高质量的ZnP薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈金菊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	309	11.0	16.0
2	邓宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	72	653	14.0	22.0
3	戴丽萍	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	16	54	5.0	6.0
4	陈根	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	6	1.0	2.0