磁控溅射制备氧化硅薄膜生长速率

• 作者: 向嵘 姜德龙 王国政 王新 田景全
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化硅 薄膜 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 888-891
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1005字
• 语种: 中文

摘要

氧化硅薄膜是半导体工业中常见的薄膜材料,通常采用化学气相沉积方法制备.但是这种制备方法存在缺欠.采用磁控溅射的方法首先在石英衬底上制备了氧化硅薄膜.研究了射频功率、氧气含量和溅射压强对氧化硅薄膜沉积速率的影响.发现沉积速率随着射频功率的增加而增加;随着氧气含量的增加,先减小后增大;当溅射压强在0.4～0.8 Pa之间变化时,沉积速率变化很小,当溅射压强超过0.8 Pa时沉积速率迅速下降.讨论了不同生长条件下造成氧化硅薄膜生长速率变化的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田景全	长春理工大学理学院	24	327	8.0	17.0
2	姜德龙	长春理工大学理学院	25	153	6.0	10.0
3	王国政	长春理工大学理学院	51	208	8.0	11.0
4	王新	长春理工大学理学院	42	87	5.0	6.0
5	向嵘	长春理工大学理学院	12	57	5.0	6.0