μc-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池微晶硅背场的模拟与优化

• 作者: 周炳卿 李力猛 郝丽媛 陈霞 韩兵
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 工学
• 关键词: AFORS-HET 异质结太阳电池 背场
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TK51
• 字数: 2291字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-5624.2009.03.004

摘要

采用AFORS-HET软件模拟了微晶硅背场对μc-si(n)/c-si(p)异质结太阳电池性能的影响.结果显示:微晶硅背场的厚度对电池性能影响较小;而随着背场掺杂浓度的提高,短路电流和填充因子都逐渐提高,太阳电池效率随之增大;随着带隙的增大,短路电流和效率均是先增大,当带隙超过1.55ev时逐渐变小.当微晶硅背场的厚度为10nm,掺杂浓度为3×1018/cm3,带隙为1.55ev时,太阳电池的转化效率最高,达到21.8%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周炳卿		2	5	1.0	2.0
2	李力猛		1	4	1.0	1.0
3	陈霞		1	4	1.0	1.0
4	韩兵		1	4	1.0	1.0
5	郝丽媛		1	4	1.0	1.0