基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
在国产TDR-62硅单晶炉上,采用10英寸和12英寸热系统开展了重掺磷硅单晶生长研究,生长出了4英寸<111>晶向、电阻率1.0×10-3~1.8×10-3Ω·cm的重掺磷硅单晶.对重掺磷硅单晶的磷掺杂和电阻率控制技术及住错与微缺陷的产生机理进行了探讨.
推荐文章
重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷
重掺杂直拉硅
氧沉淀
缺陷
高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响
重掺锑硅单晶
快速退火(RTA)
流动图形缺陷(FPDs)
空洞缺陷
直拉硅单晶生长过程建模与控制研究综述
直拉硅单晶
过程建模
变量检测
过程控制
控制策略
重掺硅衬底片的内吸除效应
重掺杂硅单晶
热处理
内吸除
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 重掺磷硅单晶生长技术研究
来源期刊 天津科技 学科 化学
关键词 硅单晶 重掺磷 位错 FPD缺陷
年,卷(期) 2009,(6) 所属期刊栏目 创新技术
研究方向 页码范围 6-8
页数 分类号 O6
字数 2874字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-8945.2009.06.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 韩焕鹏 中国电子科技集团公司第四十六研究所 28 43 4.0 5.0
2 刘锋 中国电子科技集团公司第四十六研究所 15 20 3.0 3.0
3 李丹 中国电子科技集团公司第四十六研究所 18 44 3.0 5.0
4 王世援 中国电子科技集团公司第四十六研究所 4 9 2.0 3.0
5 李方 中国电子科技集团公司第四十六研究所 5 12 2.0 3.0
6 王富田 中国电子科技集团公司第四十六研究所 1 3 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (3)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (3)
2009(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2012(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2014(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
2015(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2017(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2018(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
硅单晶
重掺磷
位错
FPD缺陷
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
天津科技
月刊
1006-8945
12-1203/N
大16开
天津市河西区吴家窑大街22号
18-204
1992
chi
出版文献量(篇)
5918
总下载数(次)
26
总被引数(次)
9315
论文1v1指导