重掺磷硅单晶生长技术研究

• 作者: 刘锋 李丹 李方 王世援 王富田 韩焕鹏
• 来源期刊: 天津科技
• 学科: 化学
• 关键词: 硅单晶 重掺磷 位错 FPD缺陷
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 创新技术
• 页码范围: 6-8
• 分类号: O6
• 字数: 2874字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-8945.2009.06.003

摘要

在国产TDR-62硅单晶炉上,采用10英寸和12英寸热系统开展了重掺磷硅单晶生长研究,生长出了4英寸<111>晶向、电阻率1.0×10-3～1.8×10-3Ω·cm的重掺磷硅单晶.对重掺磷硅单晶的磷掺杂和电阻率控制技术及住错与微缺陷的产生机理进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩焕鹏	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	43	4.0	5.0
2	刘锋	中国电子科技集团公司第四十六研究所	15	20	3.0	3.0
3	李丹	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	44	3.0	5.0
4	王世援	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	9	2.0	3.0
5	李方	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	12	2.0	3.0
6	王富田	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	3	1.0	1.0