基于溶液法的金属诱导碟型晶畴多晶硅薄膜和薄膜晶体管的研究

• 作者: 吴春亚 孟志国 王文 赵淑云 郭海成
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 碟型晶畴多晶硅薄膜 多晶硅TFTs TFT稳定性
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备技术及器件物理
• 页码范围: 812-817
• 页数: 6页
• 分类号: TN321~+.5
• 字数: 1394字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2009.06.008

摘要

以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜.所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50 μm,空穴的最高霍尔迁移率为30.8 cm~2/V·s,电子的最高霍尔迁移率为45.6 cm~2/V·s.用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为70～80 cm~2 /V·s,亚阈值斜摆幅为1.5 V/decade,开关电流比为1.01×10~7,开启电压为-8.3 V.另外,P型的TFT在高栅偏压和热载流子偏压下具有良好的器件稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴春亚	南开大学光电子所	26	305	9.0	17.0
2	郭海成	香港科技大学电子及计算机工程系	39	191	7.0	11.0
3	王文	香港科技大学电子及计算机工程系	16	97	5.0	9.0
4	赵淑云	香港科技大学电子及计算机工程系	6	7	1.0	1.0