线圈台阶对区熔硅单晶生长影响的数值计算分析

• 作者: 庞炳远 张殿朝 索开南 闫萍
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 区熔硅单晶 数值模拟 线圈台阶
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: "元器件"专题
• 页码范围: 144-147
• 页数: 4页
• 分类号: TP391.9
• 字数: 2068字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2009.02.007

摘要

悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一,线圈形状作为主要的工艺参数直接影响能量分布并最终决定硅单晶的生长情况.通过有限元法对区熔硅单晶生长进行数值模拟,考虑二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,主要对比分析了线圈上方有无台阶对单晶生长的不同影响.同时结合相应的试验结果及现象,得到了线圈台阶的引入提高了晶体成晶的质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	索开南		17	27	3.0	4.0
2	闫萍		16	35	4.0	5.0
3	庞炳远		13	17	3.0	3.0
4	张殿朝		11	28	3.0	4.0