热屏优化对大直径单晶硅生长影响的数值模拟

• 作者: 周旗钢 徐文婷 戴小林 滕冉 肖清华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅单晶 数值模拟 热屏 固液界面
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 238-242,252
• 分类号: O78
• 字数: 2942字
• 语种: 中文

摘要

通过对28英寸热场生长300 mm硅单晶过程中结晶速率、固液界面形状、晶体中热应力及晶体中氧含量的数值计算提出了在该热场条件下热屏的优化方案.数值计算结果表明:对热屏底端与晶体表面和熔体自由液面的距离以及热屏材料(优化前热屏使用单一石墨材料,优化后采用辐射率较高的内壁材料结合反射率较高的外壁材料组成复合式热屏)的优化可以减少主加热器对晶体的热辐射使得固液界面更加平坦,藉此增加结晶速率,减小晶体内热应力和熔体中氧含量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周旗钢		35	176	8.0	12.0
5	戴小林		9	76	5.0	8.0
6	滕冉		2	36	2.0	2.0
10	肖清华		8	72	5.0	8.0
11	徐文婷		5	42	3.0	5.0