AlGaN器件欧姆接触的研究进展

• 作者: 唐利斌 王忆锋
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN 欧姆接触 肖特基接触 紫外探测器 高电子迁移率晶体管 异质结场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件与材料
• 页码范围: 36-42
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 7236字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1255.2009.01.010

摘要

作为制备光电子器件例如紫外光子探测器、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)异质结场效应管等的一种宽禁带半导体材料, III V 族氮化物AlGaN器件近年来颇受关注.AlGaN与金属之间的低阻欧姆接触的实现问题阻碍了AlGaN(基)器件的发展.通过对相关文献的归纳分析,介绍了近年来AlGaN器件在欧姆接触形成、金属化方案、合金化工艺及表面处理等方面的研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐利斌		60	279	10.0	12.0
2	王忆锋		138	654	13.0	16.0