激光辐照GaN改善其欧姆特性的研究进展

• 作者: 方晓东 胡红涛 邵景珍
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 材料 接触电阻率 激光辐照 GaN
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 641-647
• 页数: 7页
• 分类号: TN304
• 字数: 5002字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2017.06.001

摘要

GaN材料在高频、高功率、高温、高密度集成电子器件等领域具有广阔的应用前景,是全球半导体领域研究的前沿和热点.近几年,对低接触电阻率的金属/GaN欧姆接触的研究取得了巨大进步,但金属/GaN欧姆接触仍是制约GaN器件发展的重要因素之一,激光技术的引进为金属/GaN欧姆接触的实现提供了新方法.总结了激光辐照改善GaN材料欧姆特性的研究,介绍了准分子激光辐照对GaN材料空穴浓度的改变及其欧姆接触特性改善机理的研究进展,讨论了激光辐照GaN获得低欧姆接触电阻率的方案,以便探究获得更优良金属/GaN欧姆接触的研究方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方晓东	中国科学技术大学环境科学与光电技术学院	73	301	9.0	13.0
5	邵景珍	中国科学院安徽光学精密机械研究所	6	14	3.0	3.0
6	胡红涛	中国科学技术大学环境科学与光电技术学院	1	0	0.0	0.0