磁控溅射AlN介质的14 W/mmAlGaN/GaN MIS-HEMT

• 作者: 任春江 焦刚 耿涛 薛舫时 陈堂胜 陈辰
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 MIS 电流崩塌
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: "元器件"专题
• 页码范围: 157-160
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1990字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2009.02.010

摘要

介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT.器件研制中采用了凹槽栅和场板结构.采用MIS结构后,器件击穿电压由80 V提高到了180 V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在2 GHz、75 V工作电压下,研制的200μm栅宽AlGaN/GaNMIS-HEMT输出功率密度达到了14.4 W/mm,器件功率增益和功率附加效率分别为20.51 dB和54.2%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈堂胜	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	56	225	8.0	12.0
2	薛舫时	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	30	154	7.0	11.0
3	任春江	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	14	78	6.0	8.0
4	焦刚	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	12	80	5.0	8.0
5	陈辰	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	22	120	7.0	10.0
6	耿涛	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	4	16	2.0	4.0