多晶氧化铍陶瓷上金刚石薄膜的生长

• 作者: 余志明 方梅 陈永勤 陈爽 魏秋平
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚行薄膜 氧化铍 热丝化学气相沉积 工艺参数 热导率
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 矿业工程、治金工程、化学
• 页码范围: 766-772
• 页数: 7页
• 分类号: TQ164
• 字数: 4128字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0609.2009.04.028

摘要

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,以CH4和H2为反应气体,在多晶氧化铍陶瓷基体上沉积了金刚石薄膜.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和激光热物性测试仪进行检测分析,研究工艺参数对金刚石薄膜生长及膜/基复合体热学性能的影响.结果表明:随着CH4浓度的增加(或CH4浓度一定,反应气体总流量增加),金刚石晶粒尺寸逐渐减小,膜/基复合体的热导率逐渐降低;当CH4浓度为2%(体积分数),流量为30 cm3/min,压强为1.33 kPa时,沉积的膜/基复合体的热导率最高,可达2.663 W/(cm·K).