0.8μm CMOS/SOI模型参数提取

• 作者: 孙大成 陈智
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅(SOI) 模型参数提取 拟合
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 7-8
• 页数: 2页
• 分类号: TN4
• 字数: 1338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2009.05.003

摘要

0.8μm CMOS/SOI的模型参数提取是基于0.8μm CMOS/SOI工艺,选用HSPICE中的level 57模型.介绍了测试图形的设计经验,分析了SOI器件与体硅器件之间模型的差异,最后给出测试数据及参数测试结果的拟合情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙大成	中国电子科技集团公司第四十七研究所	11	21	3.0	4.0
2	陈智	中国电子科技集团公司第四十七研究所	5	1	1.0	1.0