磁控溅射TiN薄膜的工艺及电学性能研究

• 作者: 刘倩 刘莹 朱秀榕 胡敏 赖珍荃
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: TiN薄膜 磁控溅射 氩气/氮气流量比 溅射气压 电学性能
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 222-225
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 3547字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.02.013

摘要

采用反应直流磁控溅射法,在Si基底上制备TiN薄膜.研究了溅射沉积过程中溅射气压和Ar/N2气体流量比对TiN薄膜结构及其电学性能的影响,并对试验结果进行了分析.研究发现,在Ar/N2气体流量比为15:1时,TiN薄膜的表面均方根粗糙度和电阻率都为最小.当溅射气压增大时,薄膜厚度减小.当溅射气压为0.3～0.5Pa时,薄膜表面较光滑,电阻率较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖珍荃	南昌大学物理系	20	139	7.0	10.0
2	刘莹	南昌大学机电工程学院	153	1424	18.0	30.0
3	胡敏	南昌大学机电工程学院	49	390	8.0	18.0
4	刘倩	南昌大学机电工程学院	17	57	4.0	7.0
5	朱秀榕	南昌大学物理系	4	26	3.0	4.0