AlGaN插入层对6H-SiC上金属有机物气相外延生长的GaN薄膜残余应力及表面形貌的影响

• 作者: 席光义 李洪涛 江洋 汪莱 罗毅 赵维 韩彦军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 残余应力 表面形貌 SiC衬底 AlGaN插入层
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 7282-7287
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.103

摘要

研究了具有不同台阶数目的AlGaN插入层对在6H-SiC衬底上利用金属有机物气相外延(MOVPE)生长的GaN体材料残余应力和表面形貌的影响.高分辨率X射线衍射测试表明样品的c轴晶格常数随台阶数目的增多而增大;低温光荧光谱中GaN发光峰也随着台阶数目增多而发生蓝移,这些变化都反映出GaN中残余张应力的减小.此外,原子力显微镜测试表明样品表面起伏和粗糙度也都随着插入层的引入和台阶数目的增多得到了明显的改善.