纳米MOSFET寄生电阻模型分析

• 作者: 储明 孙家讹 陈军宁
• 来源期刊: 电脑知识与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米 MOSFET 短沟道 源漏寄生电阻 电阻模型
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 计算机工程应用技术
• 页码范围: 1762-1764
• 页数: 3页
• 分类号: TP333
• 字数: 2833字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-3044.2009.07.091

摘要

随着器件尺寸的缩小,寄生电阻对器件性能的影响不可忽视,为准确预测器件的寄生电阻并了解器件参数对寄生电阻的影响,需要有准确的寄生电阻模型.该文分析了短沟道寄生电阻模型,研究了短沟道寄生电阻模型在栅压较小时与模拟结果存在较大误差的原因,并对模型进行了改进.最后分析了器件参数对寄生电阻的影响,提出未来减小寄生电阻需要和可能采取的措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
2	储明	安徽大学电子科学与技术学院	2	1	1.0	1.0
3	孙家讹	安徽大学电子科学与技术学院	10	16	2.0	4.0