氢气流量对混合物理化学气相沉积法制备MgB_2超薄膜的影响

• 作者: 冯庆荣 孙玄 王亚洲 黄煦
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: MgB_2超薄膜 HPCVD法 氢气流量
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 6-11
• 页数: 6页
• 语种: 中文

摘要

用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD)制备了MgB_2超薄膜.在背景气体压强、B_2H_6的流量和成膜时间等条件一定的情况下,当氢气的流量从200到400sccm范围内变化时,观察了其对成膜的影响.结果显示,随氢气流量增大,膜表面粗糙度增大,同时膜面的连接性变好,伴随着样品的超导转变温度得到提高.对于平均厚度是10nm和15nm的样品,氢气流量分别是200sccm和300sccm时,T_c分别是26K和33K与28K和37K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯庆荣		28	65	5.0	6.0
2	王亚洲		4	15	1.0	3.0
3	黄煦		3	7	1.0	2.0
4	孙玄		3	7	1.0	2.0