磁控溅射制备ZrN_x薄膜离子导体性能研究

• 作者: 董思勤 覃丽禄 黄佳木
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 射频反应磁控溅射 氮化锆薄膜 离子导体
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 450-452,456
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 1874字
• 语种: 中文

摘要

采用射频反应磁控溅射工艺,以纯Zr为靶材,在WO3/ITO/Glass基片上采用不同工艺参数沉积ZrN_x薄膜,用紫外-可见分光光度计、循环伏安法、X射线衍射仪、扫描电镜等研究了ZrN_x薄膜的离子导电性能.研究结果表明,所制备的ZrN_x薄膜为非晶态,ZrN_x/WO_3/ITO/Glass复合膜的光学调节范围最大达57%以上,在离子传导过程中表现出良好的离子导电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	覃丽禄	重庆大学材料科学与工程学院	9	44	3.0	6.0
2	黄佳木	重庆大学国家镁合金材料工程技术研究中心	84	690	13.0	20.0
6	董思勤	重庆大学材料科学与工程学院	6	34	4.0	5.0