GaN基肖特基器件中的反常电容特性

• 作者: 储开慧 张文静 李向阳 许金通
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电容-电压特性 肖特基器件 GaN 基材料
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 161-166
• 分类号: TN311+.8
• 字数: 1732字
• 语种: 中文

摘要

研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中,出现了峰和负值电容,而Au/i-Al0.45Ga0.55N肖特基器件的C-V特性曲线中则既没有峰也没有负值电容的出现.对肖特基器件的电流-电压(I-V)特性和C-V特性进行参数提取和分析后认为,负值电容和峰的出现源于界面态的俘获和损耗,但较大的串联电阻将减弱界面态的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李向阳	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	110	438	10.0	14.0
2	张文静	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	15	267	6.0	15.0
3	许金通	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	21	40	4.0	5.0
4	储开慧	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	3	5	2.0	2.0