磁控溅射法在玻璃基片制备VO2薄膜的结构与性能

• 作者: 王燕 黄维刚
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: VO2薄膜 射频磁控溅射法 相变特性
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 797-799
• 分类号: TQ135.1
• 字数: 1939字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了VO2薄膜.采用XRD、AFM和红外光谱仪研究了不同基片温度所得薄膜的结构、光学性能和相变特性.实验结果表明,薄膜的结晶程度随基片温度的增加而增加,并且VO2具有(011)择优取向.基片温度在400℃以上的VO2薄膜均出现较好的相变特性,500℃时的薄膜相变特性最佳.薄膜的红外透过率随着沉积温度的增加而逐渐增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王燕	四川大学材料科学与工程学院	56	280	8.0	16.0
2	黄维刚	四川大学材料科学与工程学院	56	381	12.0	17.0