厚度对电子束蒸发制备IMO薄膜性能的影响

• 作者: 杨瑞霞 赵颖 陈新亮 韩东港
• 来源期刊: 河北工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束蒸发技术 In2O3:Mo(IMO)薄膜 薄膜厚度 高迁移率 晶体结构
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 1-3
• 分类号: TN304
• 字数: 2449字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2373.2010.06.001

摘要

通过电子束蒸发法制备In2O3:Mo(IMO)薄膜,详细研究了厚度对薄膜光电性能的影响.当薄膜厚度为d=35am时,XRD谱与SEM图像均证明薄膜基本上处于非晶态(存在少许纳米晶粒),其光学特性优良而电学特性较差;随着薄膜厚度增加,薄膜的晶体结构变得较完善,晶粒增大,薄膜电学性能取得到了改善,在薄膜厚度d=150 nm时获得最小电阻率～2.1×104Ωcm,而光学特性有所恶化.通过性能指数Φ比较,d=110nnl厚度的IMO薄膜光电性能较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	陈新亮		2	15	2.0	2.0
3	韩东港	河北工业大学信息工程学院	1	2	1.0	1.0