退火温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响

• 作者: 林珊 程树英 赖松林 黄红梁
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: ZnS薄膜 电子束蒸发 退火温度 光电性能
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 55-57
• 分类号: TN304
• 字数: 2383字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.11.016

摘要

为了获得光电性能好的ZnS窗口层薄膜,采用电子束蒸发法在玻璃基片上沉积ZnS薄膜,研究退火温度(200～500℃)对ZnS薄膜的结构和光电性能的影响.结果表明:所制备的薄膜均为闪锌矿结构的β-ZnS多晶薄膜,导电类型为n型.随着退火温度的增高,薄膜结晶度和光电性能都变好.但是,当退火温度过高(500℃)时,薄膜的半导体特性反而变差.退火温度为400℃时,ZnS薄膜的性能最佳,此时薄膜的透过率较高;电阻率较低,为246.2 Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖松林		1	14	1.0	1.0
2	程树英		2	21	2.0	2.0
3	黄红梁		1	14	1.0	1.0
4	林珊		1	14	1.0	1.0