退火温度对电子束蒸发沉积硅薄膜结构和光学性能的影响

• 作者: 余德明 刘保剑 刘定权 李大琪 段微波 陈刚
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学薄膜 硅薄膜 光学性能 退火
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 347字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2020.01.001

摘要

系统研究了退火温度对硅薄膜结构和光学性能的影响.通过电子束蒸发工艺制备硅薄膜,然后在氮气保护下对薄膜样品在200～500°C范围内进行退火处理.使用XRD、拉曼光谱、电子自旋共振和透射光谱测量等方法对薄膜样品进行了表征.结果显示,随着退火温度的升高,非晶硅薄膜结构有序度在短程和中程范围内得到改善,同时缺陷密度显著降低.当样品在400°C退火后,消光系数k由6.14×10-3下降到最小值1.02×10-3(1000 nm),这是由于此时硅薄膜缺陷密度也降到最低,约为沉积态薄膜的五分之一.试验结果表明,硅薄膜在适当的温度下退火可以有效地降低近红外区膜层的光学吸收,这对硅薄膜在光学薄膜器件研制中具有重要应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘定权	中国科学院上海技术物理研究所	49	176	8.0	12.0
2	段微波	中国科学院上海技术物理研究所	10	21	3.0	4.0
3	陈刚	中国科学院上海技术物理研究所	183	1886	20.0	37.0
4	李大琪	中国科学院上海技术物理研究所	12	52	4.0	7.0
5	刘保剑	中国科学院上海技术物理研究所	5	2	1.0	1.0
6	余德明	中国科学院上海技术物理研究所	5	2	1.0	1.0