快中子辐照直拉硅中的氧沉淀及诱生缺陷

• 作者: 薛晶晶 郝秋艳 陈贵锋 马巧云 马晓薇
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 快中子辐照 直拉硅 氧沉淀 缺陷
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 1927-1930
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1|TU472.5
• 语种: 中文

摘要

利用光学显微镜和透射电子显微镜,研究了1 100℃退火后快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的产生及其随退火时间的演变情况.实验发现:在快中子辐照直拉硅中,氧沉淀过程中产生了氧沉淀诱生的体层错和结构复杂的位错环.延长退火时间,缺陷密度增加.当过饱和态的间隙氧基本沉淀之后,诱生缺陷密度不再变化.较高剂量辐照样品中的缺陷尺寸较大,但密度相对较低.经高温退火的快中子辐照直拉硅中生成了直径约为40nm的氧沉淀,其形貌为多面体氧沉淀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝秋艳	河北工业大学材料学院	37	179	9.0	12.0
2	陈贵锋	河北工业大学材料学院	22	59	5.0	6.0
4	马巧云	河北工业大学材料学院	6	7	2.0	2.0
10	薛晶晶	河北工业大学材料学院	3	6	2.0	2.0
11	马晓薇	河北工业大学材料学院	2	4	1.0	2.0