SRAM单粒子效应检测方法研究

• 作者: 于庆奎 张大宇 罗磊
• 来源期刊: 航天器环境工程
• 学科: 工学
• 关键词: 静态随机存储器 检测系统 辐射效应 单粒子效应 虚拟仪器
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 585-589
• 页数: 5页
• 分类号: V416.8|TN406
• 字数: 4153字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1379.2010.05.008

摘要

采用中国科学院近代物理研究所的回旋加速器HIRFL产生不同LET值的重离子,以模拟空间辐射环境,检测了两种国产SRAM器件抗单粒子翻转、和单粒子锁定的能力.试验中采用了两套单粒子效应检测系统,结合试验检测过程和最终结果,讨论了两套检测系统各自的优缺点,总结了试验中需要注意的其他问题.本研究为今后构建其他器件的单粒子效应检测系统提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于庆奎	中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心	14	65	5.0	7.0
2	张大宇	中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心	7	36	4.0	6.0
3	罗磊	中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心	6	10	2.0	3.0