一个适用于RFIC设计的RF MOSFET源漏电阻可缩放模型

• 作者: 余裕宁 刘军 孙玲玲
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 射频场效应晶体管 串联电阻 可缩放模型
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 428-432
• 分类号: TN432|TN926
• 字数: 688字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.04.008

摘要

提出了一个可用于0.18 μm CMOS工艺RF-MOSFET的源漏电阻的可缩放模型.采用了一种直接基于S参数测量的方法来准确提取端口的寄生电阻,该模型充分考虑了各种版图尺寸,如沟道长度,沟道宽度和栅极指头数目等参数的可缩放性.此后,该模型通过不同尺寸的共源连接RF MOSFET的测量和仿真的直流、小信号S参数特性比对,曲线达到了较好的吻合,表明我们的模型是精确而且有效的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙玲玲	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	68	213	8.0	9.0
2	刘军	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	30	47	4.0	6.0
3	余裕宁	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0