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摘要:
在EKVv2.6本征模型基础上发展出一种新的、可用于低压低功耗CMOS RFIC CAD 的RF-MOSFET模型,模型对栅氧化层寄生电阻以及有损基底损耗进行了考虑.在对晶体管零偏和线性工作态下等效电路进行分析的基础上,开发出新的解析提取RF-MOSFET器件射频寄生参数的算法.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一共源连接、8栅指(每指尺寸长L=0.24μm,宽W=9.58μm)n-MOSFET 建模中,DC高达40GHz测量和仿真所得S参数对比结果验证了模型的良好精度.
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文献信息
篇名 RF-CMOS建模:面向低功耗应用的RF-MOSFET模型开发
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 低压低功耗 RF-MOSFET 建模 EKVv2.6 射频寄生 解析提取
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 131-137
页数 7页 分类号 TN386
字数 4569字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.028
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研究主题发展历程
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低压低功耗
RF-MOSFET
建模
EKVv2.6
射频寄生
解析提取
研究起点
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
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1980
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