RF-CMOS建模:面向低功耗应用的RF-MOSFET模型开发

• 作者: 刘军 孙玲玲 徐晓俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低压低功耗 RF-MOSFET 建模 EKVv2.6 射频寄生 解析提取
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 131-137
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 4569字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.028

摘要

在EKVv2.6本征模型基础上发展出一种新的、可用于低压低功耗CMOS RFIC CAD 的RF-MOSFET模型,模型对栅氧化层寄生电阻以及有损基底损耗进行了考虑.在对晶体管零偏和线性工作态下等效电路进行分析的基础上,开发出新的解析提取RF-MOSFET器件射频寄生参数的算法.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一共源连接、8栅指(每指尺寸长L=0.24μm,宽W=9.58μm)n-MOSFET 建模中,DC高达40GHz测量和仿真所得S参数对比结果验证了模型的良好精度.