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RF-CMOS建模:面向低功耗应用的RF-MOSFET模型开发
RF-CMOS建模:面向低功耗应用的RF-MOSFET模型开发
作者:
刘军
孙玲玲
徐晓俊
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
低压低功耗
RF-MOSFET
建模
EKVv2.6
射频寄生
解析提取
摘要:
在EKVv2.6本征模型基础上发展出一种新的、可用于低压低功耗CMOS RFIC CAD 的RF-MOSFET模型,模型对栅氧化层寄生电阻以及有损基底损耗进行了考虑.在对晶体管零偏和线性工作态下等效电路进行分析的基础上,开发出新的解析提取RF-MOSFET器件射频寄生参数的算法.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一共源连接、8栅指(每指尺寸长L=0.24μm,宽W=9.58μm)n-MOSFET 建模中,DC高达40GHz测量和仿真所得S参数对比结果验证了模型的良好精度.
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面向对象
RF
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文献信息
篇名
RF-CMOS建模:面向低功耗应用的RF-MOSFET模型开发
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
低压低功耗
RF-MOSFET
建模
EKVv2.6
射频寄生
解析提取
年,卷(期)
2007,(1)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
131-137
页数
7页
分类号
TN386
字数
4569字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.028
五维指标
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
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共引文献
(35)
参考文献
(8)
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引证文献
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研究主题发展历程
节点文献
低压低功耗
RF-MOSFET
建模
EKVv2.6
射频寄生
解析提取
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
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