RF-CMOS建模:MOST在片测试结构寄生分析

• 作者: 刘军 孙玲玲 徐晓俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RF-CMOS 在片测试结构 寄生效应 建模
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 246-253
• 页数: 8页
• 分类号: TN386
• 字数: 3614字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.021

摘要

提出了一种新的RF-CMOS晶体管在片测试结构寄生模型,模型综合考虑了射频/微波条件下RF-MOST器件在片测试结构中的各种寄生效应.模型考虑了PAD-互连金属、互连金属-DUT(device under test)之间的非连续性,对互连金属和基底之间的寄生效应单独进行了考虑.通过引入一个新的元件,对PAD结构基底感性损耗进行表征.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25 μm RF-CMOS工艺制造的测试结构寄生效应等效电路建模中,高达40GHz测试和仿真数据验证了模型的良好精度.