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摘要:
研究了在特定工艺条件下进行高速低功耗集成电路设计的相关问题,包括结构设计、电路设计和工艺角的影响.提出用CMOS逻辑电路完成超高速电路设计的思想,利用CSM 0.35μm CMOS工艺设计完成了速率为3.125Gb/s的4:1复接器芯片.该系统采用树型结构,由两个并行的低速2:1复接单元和一个高速2:1复接单元级联而成.核心电路锁存器在低速单元中用带有电平恢复的4_T电路构成,在高速单元中用动传输门构成;选择器则用CMOS传输门构成的双路开关实现,每一电路都只用4只晶体管实现.芯片面积为0.39mm2.芯片测试结果表明:在3.3V电源电压下,芯片核心功耗低于40mW,最高工作速率可达4Gb/s.
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文献信息
篇名 超高速低功耗CMOS4:1复接器
来源期刊 高技术通讯 学科 工学
关键词 CMOS逻辑 复接器 超高速 低功耗 工艺角
年,卷(期) 2010,(11) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1196-1200
页数 分类号 TN91
字数 3078字 语种 中文
DOI 10.3772/j.issn.1002-0470.2010.11.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 冯军 东南大学射频与光电集成电路研究所 77 348 9.0 12.0
2 管忻 东南大学射频与光电集成电路研究所 3 3 1.0 1.0
3 李育军 东南大学射频与光电集成电路研究所 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS逻辑
复接器
超高速
低功耗
工艺角
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高技术通讯
月刊
1002-0470
11-2770/N
大16开
北京市三里河路54号
82-516
1991
chi
出版文献量(篇)
5099
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14
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