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超高速低功耗CMOS4:1复接器
超高速低功耗CMOS4:1复接器
作者:
冯军
李育军
管忻
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CMOS逻辑
复接器
超高速
低功耗
工艺角
摘要:
研究了在特定工艺条件下进行高速低功耗集成电路设计的相关问题,包括结构设计、电路设计和工艺角的影响.提出用CMOS逻辑电路完成超高速电路设计的思想,利用CSM 0.35μm CMOS工艺设计完成了速率为3.125Gb/s的4:1复接器芯片.该系统采用树型结构,由两个并行的低速2:1复接单元和一个高速2:1复接单元级联而成.核心电路锁存器在低速单元中用带有电平恢复的4_T电路构成,在高速单元中用动传输门构成;选择器则用CMOS传输门构成的双路开关实现,每一电路都只用4只晶体管实现.芯片面积为0.39mm2.芯片测试结果表明:在3.3V电源电压下,芯片核心功耗低于40mW,最高工作速率可达4Gb/s.
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篇名
超高速低功耗CMOS4:1复接器
来源期刊
高技术通讯
学科
工学
关键词
CMOS逻辑
复接器
超高速
低功耗
工艺角
年,卷(期)
2010,(11)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
1196-1200
页数
分类号
TN91
字数
3078字
语种
中文
DOI
10.3772/j.issn.1002-0470.2010.11.017
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
冯军
东南大学射频与光电集成电路研究所
77
348
9.0
12.0
2
管忻
东南大学射频与光电集成电路研究所
3
3
1.0
1.0
3
李育军
东南大学射频与光电集成电路研究所
1
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传播情况
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复接器
超高速
低功耗
工艺角
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高技术通讯
主办单位:
中国科学技术信息研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1002-0470
CN:
11-2770/N
开本:
大16开
出版地:
北京市三里河路54号
邮发代号:
82-516
创刊时间:
1991
语种:
chi
出版文献量(篇)
5099
总下载数(次)
14
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