HfO2薄膜的光致发光谱与激发谱

• 作者: 王营 范正修 贺洪波 赵元安 邵建达
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜 氧化铪薄膜 光致发光与激发谱 X射线衍射 结构缺陷 激光损伤阈值
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 1104-1107
• 页数: 4页
• 分类号: TN484.4+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20103704.1104

摘要

利用电子束蒸发和自动晶控技术制备了氧化铪薄膜,并对薄膜进行了退火处理.通过光致发光(PL)光谱、光致发光激发谱(PLE)和X射线衍射(XRD)等测试对HfO2薄膜进行表征,研究了退火对Hf02薄膜结构及发光特性的影响.室温下对薄膜进行了光致发光光谱测试发现存在4个发射峰,退火后的样品发光强度明显增强.对薄膜的激发谱测试发现激发谱与发射谱之间存在着斯托克斯位移.在退火处理后,X射线衍射表明薄膜的取向性和结晶度都明显提高,但是薄膜的激光损伤阈值(LIDT)没有变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵建达	中国科学院上海光学精密机械研究所	212	2131	21.0	29.0
2	范正修	中国科学院上海光学精密机械研究所	203	2312	23.0	32.0
3	贺洪波	中国科学院上海光学精密机械研究所	48	491	16.0	19.0
4	赵元安	中国科学院上海光学精密机械研究所	47	315	11.0	15.0
5	王营	中国科学院上海光学精密机械研究所	2	49	1.0	2.0