高质量GaN薄膜生长工艺的研究进展

• 作者: 刘彩池 梁李敏 王清周 解新建
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 缺陷 异质外延 横向外延 缓冲层 柔性衬底
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 所属期刊栏目: 本期专题:半导体材料
• 页码范围: 127-131
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 5582字
• 语种: 中文

摘要

概述了GaN异质外延生长中衬底的选择以及缺陷的形成机理,从缓冲层技术、横向外延技术、柔性衬底技术等生长工艺方面综述了国内外GaN基半导体薄膜生长的最新研究和进展,并对其优缺点进行了分析比较,认为发展同质外延将有希望解决现在异质外延生长中存在的问题,最后展望了GaN基薄膜同质外延生长的前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王清周	河北工业大学材料学院	12	34	4.0	5.0
2	刘彩池	河北工业大学材料学院	63	305	11.0	14.0
3	解新建	河北工业大学材料学院	10	57	4.0	7.0
4	梁李敏	河北工业大学材料学院	8	15	2.0	3.0