0.18μm NMOS的重离子单粒子瞬态脉冲的仿真模拟

• 作者: 安海华 李飞
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: ISE仿真 NMOS 单粒子瞬态脉冲 单粒子注入位置
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 558-561
• 分类号: TM935.4
• 字数: 2200字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.05.019

摘要

为了详细地了解纳米MOS电路中单粒子瞬变电荷收集机理,利用ISETCAD软件仿真二维模拟0.18 μm NMOS的单粒子瞬态脉冲.通过进行三种不同的电路连接方式和不同的粒子注入位置的仿真,得到了一系列单粒子瞬态电流脉冲(SET)与时间的关系曲线.分析了不同电路连接方式和注入位置对SET的峰值和脉宽的影响.为下一步建立SET的精确模型进行SET效应的模拟做基础的研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	安海华		2	6	1.0	2.0
2	李飞		2	6	1.0	2.0