低损伤ICP刻蚀技术提高GaN LED出光效率

• 作者: 伊晓燕 李琪 樊中朝 潘岭峰 王军喜 王良臣
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管(LED) 氮化镓(GaN) 干法刻蚀 低损伤 内量子效率
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 333-337
• 分类号: TN305.7|TN364.2
• 字数: 2092字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.05.011

摘要

首先分析了在制作GaN基LED时,采用干法刻蚀技术会对材料的表面和量子阱有源区造成损伤,影响了GaN基LED的内量子效率.针对这个问题,研究实验采用感应耦合等离子反应刻蚀(ICP-RIE)技术,分别选择了氯气/三氯化硼(Cl2/BCl3)气体体系和氯气/氩气(C12/Ar)气体体系,通过优化射频功率、ICP功率、气体流量以及相应的真空度,得到了良好的刻蚀端面,对于材料造成的损伤较低,得到更好的I-V特性.实验结果表明,采用低损伤的偏压功率刻蚀后制作的LED器件,出光功率提升一倍以上,同时采用Cl2/Ar气体体系,改善了器件的I-V特性,有效提高了LED的出光效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘岭峰		1	1	1.0	1.0
2	李琪		1	1	1.0	1.0
3	伊晓燕		1	1	1.0	1.0
4	樊中朝		1	1	1.0	1.0
5	王良臣		1	1	1.0	1.0