氨化Ga2O3和金属Ga粒混合镓源制备高质量GaN纳米线

• 作者: 俞大鹏 孙杨慧 李琰 王朋伟 赵清 高靖云
• 来源期刊: 电子显微学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积法 氮化镓 纳米线 生长条件
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 91-96
• 分类号: TN304|TB383|TG115.21+5.3
• 字数: 2969字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6281.2011.02.001

摘要

在管式炉中用化学气相沉积(CVD)法在高温下用金做催化剂,首次通过氨化Ga2O3和金属Ga粒组成的混合镓源制备出高质量的GaN纳米线.运用SEM,TEM,XRD以及Ramah,PL等表征手段分析了氮化镓纳米线的形貌、结构以及发光性质.最后着重探讨了通过改变镓源的构成、氨化温度以及镓源和生长衬底间的距离等生长条件,研究了其对氮化镓形貌的影响,藉以提高在管式炉中生长GaN的可控性及可重复性,为制备大量GaN纳米线提供了依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李琰	北京大学物理学院介观物理国家重点实验室电子显微镜实验室	9	154	5.0	9.0
2	王朋伟	北京大学物理学院介观物理国家重点实验室电子显微镜实验室	3	29	2.0	3.0
3	孙杨慧	北京大学物理学院介观物理国家重点实验室电子显微镜实验室	2	4	2.0	2.0
4	高靖云	北京大学物理学院介观物理国家重点实验室电子显微镜实验室	1	2	1.0	1.0
5	赵清	北京大学物理学院介观物理国家重点实验室电子显微镜实验室	2	2	1.0	1.0