高频异质结晶体管直流和交流模型及其验证

• 作者: 李垚 高金明
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 漂移扩散模型 波尔兹曼模型 电子温度 复合效应 速度饱和效应
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 132-136
• 分类号: TN321
• 字数: 2664字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.02.004

摘要

针对漂移扩散方程和能量平衡方程的解建立了SiGe HBT的直流和交流理论模型,综合考虑了速度饱和效应、基区和发射区的禁带变窄效应和复合效应,并与台面型SiGe HBT实验结果进行了比较,截止频率为10.5 GHz,电流增益为45,与理论结果基本符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高金明	中国科技大学微电子实验室	1	1	1.0	1.0
2	李垚	中国科技大学微电子实验室	4	3	1.0	1.0