磁控溅射ZnO基TFT的研究

• 作者: 叶宗标 杨隆杰 林祖伦 沈匿 王祝娇 祁康成
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO-TFT 输出特性 磁控溅射 透过率
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 615-617
• 分类号: TN321.5|TN386.3
• 字数: 1281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.06.003

摘要

采用直流磁控溅射在SiO2/n-Si(111)衬底上沉积了Al薄膜,经过光刻、刻蚀形成源漏极,再采用射频磁控溅射沉积ZnO薄膜作为有源层,成功制备了底栅顶接触结构的ZnO-TFT,Al膜厚135nm,ZnO膜厚110nm.实验结果表明,薄膜晶体管展示出明显的栅控特性以及饱和特性,ZnO薄膜沿C轴择优取向生长,且在可见光波长区域的平均透过率超过85％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	林祖伦	电子科技大学光电信息学院	76	442	10.0	15.0
3	叶宗标	电子科技大学光电信息学院	3	6	2.0	2.0
4	沈匿	电子科技大学光电信息学院	3	16	3.0	3.0
5	杨隆杰	电子科技大学光电信息学院	2	7	2.0	2.0
6	王祝娇	电子科技大学光电信息学院	1	3	1.0	1.0