非晶Pr0.7Sr0.3MnO3薄膜的电阻开关性质

• 作者: 丁玲红 刘晓娜 孙新格 张伟风 张婷
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 非易失性存储 脉冲激光沉积法(PLD),I-V特性 界面缺陷
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 31-34,39
• 分类号: O472+.4
• 字数: 1972字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.08.009

摘要

采用脉冲激光沉积法在SnO2:F( FTO)衬底上制备了非晶Pr0.7Sr0.3MnO3(PSMO)薄膜,并对具有Au/非晶PSMO/FTO三明治结构的器件进行了阻变特性测试.结果显示:在低电压范围扫描时,非晶PSMO薄膜的电流-电压(I-V)回线只在负电压区域呈现；随着电压的增加,薄膜的I-V回线出现在整个电压范围内,并在“0V”和“-1 V”左右交叉了两次.分析表明:Poole-Frenkel (P-F)和Ohmic输运机制对非晶PSMO薄膜中的电荷输运起决定作用,包含高密度缺陷的界面态对栽流子的俘获与去俘获导致了非晶PSMO薄膜的I-V特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟风	河南大学物理与电子学院光伏材料省重点实验室	66	248	8.0	10.0
2	张婷	河南大学物理与电子学院光伏材料省重点实验室	29	59	4.0	6.0
3	丁玲红	河南大学物理与电子学院光伏材料省重点实验室	21	95	6.0	8.0
4	刘晓娜	河南大学物理与电子学院光伏材料省重点实验室	2	3	1.0	1.0
5	孙新格	河南大学物理与电子学院光伏材料省重点实验室	2	3	1.0	1.0