快热退火对Co/n-Poly-SiGe肖特基结I-V-T特性的影响

• 作者: 姚素英 徐文慧 王光伟 王雅欣
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 变温I-V测试 肖特基结 快热退火 理想因子 肖特基势垒高度的不均匀性
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与物理和化学
• 页码范围: 582-586
• 分类号: TN311+.8
• 字数: 2107字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20112605.0582

摘要

采用射频磁控溅射法在n-Si(100)衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱(AES)测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%.对薄膜进行高温磷扩散掺杂,制得n-poly-Si0.83Ge0.17.在n-poly-Si0.83Ge0.17薄膜上溅射一层Co膜,制成Co/n-poly-Si0.83 Ge0.17/n-Si肖特基结样品.在300～600℃范围内,对样品做快热退火.对不同退火温度下的样品做I-V-T测试.研究发现,测试温度升高,不同退火温度样品的肖特基势垒高度(SBH)的差别变小,500℃退火的样品,表观SBH最小.总体上,SBH随测试温度的升高而变大,理想因子的变化趋势则与之相反.基于SBH的不均匀分布建模,对实验结果给出了较为合理的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐文慧	天津职业技术师范大学电子学院	5	3	1.0	1.0
2	王光伟	天津大学电信学院	18	31	3.0	5.0
4	姚素英	天津大学电信学院	160	911	14.0	21.0
5	王雅欣	天津职业技术师范大学电子学院	14	19	3.0	4.0