利用p-n+结反向I-V特性计算p-GaN载流子浓度的方法?

• 作者: 周梅 李春燕 赵德刚
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: p-n+结 反向I-V 特性 p-GaN载流子浓度
• 年，卷（期）: 2016,（19）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 197302-1-197302-5
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.197302

摘要

提出了一种利用p-n+结反向I-V 特性随偏压变化的关系计算p-GaN载流子浓度的方法。研究发现，当p-n+中的p-GaN层没有完全耗尽时，反向电流比较小，属于正常的p-n 结电流特性，当反向偏压增加到一定值时， p-GaN层就完全耗尽， p-n+结特性就变成了肖特基结特性，反向电流显著增加。找到达到稳定反向电流的临界电压值，就可以计算出p-GaN的载流子浓度。模拟结果验证了这个思想，计算得到的p-GaN载流子浓度与设定值基本一致。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	42	214	9.0	12.0
2	李春燕	中国农业大学理学院应用物理系	20	57	4.0	7.0
3	周梅	中国农业大学理学院应用物理系	22	69	5.0	7.0