利用电子束蒸发制备高K介质TiO2薄膜

• 作者: 伍登学 刘成士 廖志君 赵利利
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: TiO2薄膜 高频CV曲线 电子束蒸发
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 356-360
• 分类号: O571
• 字数: 3166字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2011.02.020

摘要

利用电子束蒸发在不同的衬底温度和蒸发束流下制备了TiO2薄膜,利用椭圆偏振仪测出了不同工艺条件下薄膜的厚度和折射率;利用高频CV曲线研究了制备工艺条件对TiO2薄膜的电容特性的影响,发现衬底温度和蒸发束流严重影响TiO2薄膜的CV曲线特性;最后利用XPS(X射线能谱)和FI-IR(傅立叶红外吸收)相结合的方法对TiO2薄膜的成分进行了分析,发现在与硅交界处存在一个亚稳态的过渡层,其成分是低价态的TiOx(x＜2)和SiOy(y＜2).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	伍登学	四川大学辐射物理与技术国家教育部重点实验室	21	74	5.0	8.0
2	廖志君	四川大学辐射物理与技术国家教育部重点实验室	17	37	4.0	5.0
3	刘成士	四川大学辐射物理与技术国家教育部重点实验室	2	4	2.0	2.0
4	赵利利	四川大学辐射物理与技术国家教育部重点实验室	2	4	2.0	2.0