三维叠层DRAM封装中硅通孔开路缺陷的模拟

• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 三维堆叠封装 硅通孔 开路缺陷 耦合噪声 测试方法 诊断方法
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 29-41
• 分类号: TH132
• 语种: 中文

摘要

采用硅通孔(TSV)技术的三维堆叠封装,是一种很有前途的解决方案,可提供微处理器低延迟,高带宽的DRAM通道.然而,在3D DRAM电路中,大量的TSV互连结构,很容易产生开路缺陷和耦合噪声,从而导致了新的测试挑战.通过大量的模拟研究.本文模拟了在三维DRAM电路的字线与位线中出现的TSV开路缺陷的故障行为,它作为有效测试和诊断这种缺陷方法的第一步.