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摘要:
针对化学机械抛光(CMP)过程中,抛光盘、抛光头转速比不同,其晶片的抛光效果不同的现象,从运动学角度详细分析了CMP过程中晶片上任一点的去除速度和运动轨迹,并通过Matlab进行仿真,找出转速比与去除速度和运动轨迹的函数关系.
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文献信息
篇名 抛光盘、抛光头转速比对化学机械抛光效果的影响分析
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 化学机械抛光 转速比 去除速度 运动轨迹
年,卷(期) 2011,(5) 所属期刊栏目 趋势与展望
研究方向 页码范围 9-14
页数 分类号 TN305.2
字数 2240字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2011.05.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 费玖海 中国电子科技集团公司第四十五研究所 6 12 3.0 3.0
2 高慧莹 中国电子科技集团公司第四十五研究所 7 58 3.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
化学机械抛光
转速比
去除速度
运动轨迹
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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电子工业专用设备
双月刊
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大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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