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抛光盘、抛光头转速比对化学机械抛光效果的影响分析
抛光盘、抛光头转速比对化学机械抛光效果的影响分析
作者:
费玖海
高慧莹
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
化学机械抛光
转速比
去除速度
运动轨迹
摘要:
针对化学机械抛光(CMP)过程中,抛光盘、抛光头转速比不同,其晶片的抛光效果不同的现象,从运动学角度详细分析了CMP过程中晶片上任一点的去除速度和运动轨迹,并通过Matlab进行仿真,找出转速比与去除速度和运动轨迹的函数关系.
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文献信息
篇名
抛光盘、抛光头转速比对化学机械抛光效果的影响分析
来源期刊
电子工业专用设备
学科
工学
关键词
化学机械抛光
转速比
去除速度
运动轨迹
年,卷(期)
2011,(5)
所属期刊栏目
趋势与展望
研究方向
页码范围
9-14
页数
分类号
TN305.2
字数
2240字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1004-4507.2011.05.002
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
费玖海
中国电子科技集团公司第四十五研究所
6
12
3.0
3.0
2
高慧莹
中国电子科技集团公司第四十五研究所
7
58
3.0
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节点文献
化学机械抛光
转速比
去除速度
运动轨迹
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
主办单位:
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1004-4507
CN:
62-1077/TN
开本:
大16开
出版地:
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
邮发代号:
创刊时间:
1971
语种:
chi
出版文献量(篇)
3731
总下载数(次)
31
总被引数(次)
10002
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